6月18日，存储芯片大厂SK宣布，凭借长期累积的HBM领先开发能力与量产经验，已成功向主要客户提供12层堆叠HBM4E样品。SK海力士表示，公司将与主要客户密切合作，确保产品能如期进入量产阶段。
SK海力士此次推出的新产品相较前一代HBM4，在性能与能效方面均有显著提升。HBM4E的引脚（Pin）传输速率最高可达16Gbps，能源效率则提高超过20%，大幅提升AI训练与推理所需的数据处理能力。
此外，HBM4E透过新一代接口与设计优化，有效降低数据传输延迟，即使在高带宽环境下也能维持稳定运作。公司预期，该产品将进一步提升下一代AI数据中心与大规模运算系统的处理效率。
在封装技术方面，SK海力士的HBM4E采用先进MR-MUF（ Mass Reflow Molded Underfill ，批量回流模塑底部填充）制程。该技术在实现12层堆叠、48GB容量的同时，也进一步强化了结构稳定性。与HBM4相比，其热阻降低约17%，可确保产品在高效能运算环境下维持稳定运行。
MR-MUF是在堆叠半导体芯片后，于芯片间填充液态保护材料并进行固化，以保护内部电路的封装技术。
SK海力士表示，公司凭借在HBM3、HBM3E与HBM4等产品累积的量产与供货经验，持续适时提供符合客户需求的内存解决方案。未来也将延续市场验证的品质与供应能力，通过HBM4E与客户共同解决AI系统瓶颈问题，支援下一代AI基础设施建设。
SK海力士开发总监（CDO）社长安炫（Ahn Hyun）表示，SK海力士将把迄今累积的业界领先技术竞争力与量产能力延续至HBM4E产品，进一步巩固持续引领AI创新的基础。通过与合作伙伴的紧密协作，将以前瞻性的布局实现市场所需价值，并进一步强化SK海力士作为“全方位AI存储创造者”（Full Stack AI Memory Provider ）的技术领导地位。
编辑：芯智讯-浪客剑
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